Skip to content

Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения Александр Солодов, Юрий Пирогов un

Скачать книгу Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения Александр Солодов, Юрий Пирогов un EPUB

Это связано, в частности, с различием в таких слабо контролируемых параметрах ИМС, как число и распределение дефектов внутри р-п переходов И других элементах микросхем. Исследовались как отдельные микросхемы, так и ИМС, находящиеся в составе печатных плат. Проведена оценка уровней интенсивности импульсного радиоизлучения, приводящего к повреждению ИМС. Ф рагменты печатных плат: Методика проведения исследований пирогов интегральных микросхем в электромагнитных полях интенсивного импульсного радиоизлучения.

Четвертая Юрий посвящена построению модели накопления повреждений при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения и статистическому анализу вероятности отказа ИМС от числа и интенсивности воздействующих СВЧ-импульсов [].

2. Тепловая модель повреждения ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. В основе разработанной модели лежит утверждение, что падающее излучение создает СВЧ токи и напряжения на всех выводах интегральной микросхемы.  Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В.

Исследование стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения // РиЭ, , т. 56, № 3, с А. V. Klyuchnik, Yu. A. Pirogov, А. V. Solodov, and V. N. Tyul'pakov. ИССЛЕДОВАНИЕ СТОЙКОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЯХ ИМПУЛЬСНОГО РАДИОИЗЛУЧЕНИЯ © г. А. В. Ключник, Ю. А. Пирогов, А. В. Солодов. Поступила в редакцию г. Представлены результаты экспериментальных исследований стойкости цифровых интегральных микросхем в электромагнитных полях радиоизлучения в довольно широком диапазоне изменения радиоизлучения (при длине волны излучения X = 4 см, длительностей радиоимпульсов т = мкс и частотах повторения импульсов Г = Гц).

Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Аспекты методики исследования стойкости интегральных микросхем (ИМС), эксперименты, модели повреждения. LAP Lambert Academic Publishing (). Описание. Несмотря на большое число работ, посвященных воздействию импульсного радиоизлучения на интегральных микросхем (ИМС), существующие результаты были получены в относительно узких диапазонах параметров излучения и поэтому носят отрывочный характер.

Это не позволяло устанавливать какие-либо достоверные зависимости и осуществлять оценки параметров радиоимпульсов, при которых обеспечивается работоспособность как отдельных ИМС, так и радиоэлектронной аппаратуры в целом. Настоящая работа посвящена исследованию стойкости ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения.

Обо всём этом и не только в книге Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения (Александр Солодов, Юрий Пирогов und Александр Ключник). Рецензии Отзывы Цитаты Где купить. Эти книги могут быть Вам интересны.  Рецензий на «Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения» пока нет.

Уже прочитали? Напишите рецензию первым. Отзывы (0). Оставить свой отзыв. Отзывов о «Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения» пока нет. Оставьте отзыв первым.

Цитаты (0). Добавить цитату. Цитат из «Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения» пока нет. Общая универсальная методика проведения испытаний на стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения необходима для качественного руководства разработкой программ защиты от мощного радиоизлучения. Создание методики сформирует гарантированные, достоверные условия проведения испытаний ИМС и позволит получать результаты, которые могут эффективно использоваться при оценке степени воздействия радиоизлучения.

Александр Солодов, Юрий Пирогов und Александр Ключник. Купить.  Настоящая работа посвящена исследованию стойкости ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Существенное влияние на катастрофические отказы ИМС оказывают “скрытые дефекты” материалов и конструктивно-технологические особенности микросхем.

При полиимпульсном воздействии появляются качественно новые особенности, связанные как с тем, что многие активные элементы ИМС (диоды, транзисторы), расположенные на кристалле, становятся полиимпульсными источниками тепловыделения, так и со статистическим характером.

Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Аспекты методики исследования стойкости интегральных микросхем (ИМС), эксперименты, модели повреждениякнига. Авторы: Солодов А., Пирогов Ю., Ключник А. Год издания: Место издания: LAP LAMBERT Academic Publishing Saarbrbruecken, Germany.  Работа с книгой. Показать публикацию в формате: ошибка BibTeX | EndNote | RIS | Word | ISI | ADS.

doc, PDF, djvu, djvu